更新時間:2024-11-07
雙組合四探針方阻儀 電阻率測試儀 型號:KDB-3 雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導體電阻率或薄層電阻的方法。
雙組合四探針方阻儀 電阻率測試儀 型號:KDB-3
KDB-3雙組合測試儀是根據國際標準SEMI MF1529設計,雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導體電阻率或薄層電阻的方法。在本測試方法中,在測試樣品的每個測量位置上,以兩種不同的方式(配置)將探針連接到提供電流和測量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測量。單組合四探針相比,用較小間距的探針頭就可以進行高精度的測量,從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。
雙組合四探針方阻儀 電阻率測試儀 儀器特點如下:
1、配有雙數字表:一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數字表(以萬分之幾的精度)適時監測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更精確。
數字電壓表量程:0—199.99mV 靈敏度:10μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度)
2、可測電阻率范圍:10—4 —1.9×104Ω·cm。
可測方塊電阻范圍:10—3 —1.9×105Ω/□。
3、設有電壓表自動復零功能,當四探針頭1、4探針間未有測量電流流過時,電壓表指零,只有1、4探針接觸到硅片,測量電流渡過單晶時,電壓表才指示2、3探針間的電壓(即電阻率)值;同樣,當四探針頭1、3探針間未有測量電流流過時,電壓表指零,只有1、3探針接觸到硅片,測量電流渡過單晶時,電壓表才指示2、4探針間的電壓(即電阻率)值,避免空間雜散電波對測量的干擾。
4、流經硅片的測量電流由高度穩定(萬分之五精度)的特制恒流源提供,不受氣候條件的影響,整機測量精度<3%。
電流量程分五檔:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、儀器采用觸點電阻更低(<5mΩ)、使用壽命更長的轉換開頭及繼電器(>10萬次),在緣電阻、電流容量方面留有更大的安全系數,提高了測試儀的可靠性和使用壽命。
6、可選配軟件進行數據采集,可進行雙組合或單組合測量,實現自動切換電壓檔位、讀取相應電壓值,根據不同方法計算電阻率或方塊電阻值;軟件可對測量數據進行分析,如平均值,大值、小值、大百分變化率、平均百分變化率、徑向不均勻度等內容。
7、可配KDDJ-3電動測試架,自動上下運行,使測量更方便快捷。
產品名稱:熱變形、維卡軟化點溫度測定儀/維卡儀 產品型號:TC-XWB-300 B |
熱變形、維卡軟化點溫度測定儀/維卡儀 型號: TC-XWB-300 B
TC-XWB-300 B熱變形、維卡軟化點溫度測定儀,是為適應塑料工業的高速發展和提高材料的研究和測試水平,采用新的國際和國家標準:ISO75-1:1993《塑料-負荷變形溫度的測定》,ISO306:1994《塑料-熱塑性塑料維卡軟化點溫度的測定》,GB/T1633-2000《熱塑性塑料維卡軟化點溫度的測定》,GB/T1634-2001《塑料-負荷變形溫度的測定》設計而成的,廣泛用于塑料化工企業及科研機構。本系統由單片微機控制,使產品的性能更穩定,操作簡單,自動化程度高,是國內目前用于非金屬材料的變形和軟化溫度的良好的檢測儀器。
一、 規格與性能:(本產品用“位移傳感器”測量變形量代替老式“百分表” 測量變形量)
1、 溫度范圍:室溫-300℃
2、 升溫速率:120±10℃/h(12℃±1℃/6min )
50± 5℃/h(5℃±0.5℃/6min)
3、 溫度誤差:±0.5℃ 變形誤差:±0.01mm
4、 溫度小分辯率:0.1℃ 變形小分辨率0.01mm
5、 負荷范圍:0.734N —49.03N 負荷誤差:±2.5%
6、 試驗架跨距: 60—120mm連續可調(適于熱變形試驗)
7、 加熱功率:4KW
8、 電源電壓:AC220V/50Hz 20A
9、 加熱介質:甲基硅油或變壓器油(介質的閃點溫度應高于高試驗溫度)。
10、 冷卻方式:150℃以上風冷,150℃以下水冷或自然冷卻。
11、 300B機型:落地式,式樣架可自動升降。